詳細介紹

產品介紹

BTE-PECVD是我公司研發的一款單溫區的PECVD管式爐系統，它是由射頻電源系統，加熱系統、多通道質子混氣系統和真空系統組成。此款PECVD系統對于生長納米線、石墨烯或SiC薄膜是一個很好的實驗幫手。

產品特點

1.該設備生長溫度更低
2.使用滑軌爐實現快速升溫和降溫，沉積速率快
3.設備輝光均勻等效，均勻生長，成膜質量好
4.支持外部真空規和壓力變送器
5.支持智能進氣，根據需要設定不同的溫度，自動進氣，進氣定時間到后自動停止進氣
6.支持云端數據存儲，隨時查看數據
7.支持爐膛移動速度調節
8.支持射頻電源根據外部工況條件自動啟動停止
9.支持壓力恒定，壓力可以設定
10.支持超壓保護，最大壓力值可以設定，超過后系統自動進入保護狀態
 

設備參數

 

型號	最高溫度℃	爐膛尺寸mm	整機功率KW	射頻電源	流量計	流量計
BTE-PECVD1200-Ⅰ	1200	80*2000	4	射頻電源：300W	質子流量：3路	真空系統：TRP-12,3l/s真空測量：0.01Pa-200Kpa 系統真空度：5Pa
BTE-PECVD1200-Ⅱ	1200	80*2000	4		質子流量：3路
BTE-PECVD1200-Ⅲ	1200	80*2000	6	射頻電源：500W	質子流量：4路

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